EOセンサプローブの素子には、EO結晶(非線形光学結晶)を用います。
金属を含まず、また、光ファイバー型プローブ(小型)のため、超低侵襲な測定が可能であり、数百GHzの周波数まで低侵襲測定が可能です。
EOセンサプローブがアクセスできる場所であれば測定が可能です。例えば、透過部品の透過場だけでなく、反射場を直接測定することができます。
アンテナ近傍の電界を計測する用途として使用します。
低擾乱で計測できるため、近傍界から遠方界へと正しく演算することが可能です。
(アンテナ近傍界計測にも使用できます)
左図は、76.5GHz時のゲインホーンアンテナの開口面を計測した事例です。
ミリ波帯でも、シミュレーションと同様の電場情報(振幅・位相)を取得することが可能です。
基礎的な条件をシミュレーションと実測とで突き合せる(確認する)ことで、複雑な電場をシミュレーション解析する際の信頼性が向上します。または、複雑な解析自体の精度を高めるために使用されます。
左図は、28GHz帯のメタサーフェス反射板を計測した事例です。
メタサーフェス反射板は、人工的に異常反射をさせる設計をしており、左図においては入射角に対して30°方向に電波が反射しています。
実際に、どの角度へ、どれほど反射しているかを実測で確認することができるため、設計評価やフィードバックツールとして最適です。
左図は、300GHz(テラヘルツ)にてICカードをイメージングした事例です。※岐阜大学殿研究成果より引用
本事例はEOセンサプローブを用いず、他のプローブを使用していますが、この事例のように、ミリ波・テラヘルツ波帯でイメージングをすることも可能です。
建築材料、交通インフラシステム、生体、製造検査、など、様々な現場でイメージングやセンシングの需要があります。当社は、そのような需要に対して、センシングが可能か?といった基礎段階から試作機製造まで、初期段階から対応することができます。